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Diodo fotoeléctrico de silicio HAMAMATSU S1226-18BU TO-18

Diodo de luz de silicio HAMAMATSU S1226-18BU son fotodiodos de Si encapsulados en un paquete TO-18 con una ventana de vidrio UV.

N º de Modelo. :
Si Photo-Diode S1226-18BU
Marca de fábrica:
DSXUV
puerto de expedición :
Shenzhen
Pago :
T/T 100% before shipment
región original :
Japan

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Detalles del producto

HAMAMATSU S1226-18BU y S1336-18BU son fotodiodos de Si encapsulados en un paquete TO-18 con una ventana de vidrio UV. Estos fotodiodos tienen una alta sensibilidad desde el rango UV hasta el infrarrojo cercano y funcionan de manera confiable cuando detectan radiación UV de alta potencia (como la de las lámparas de mercurio)

HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Photodiode

Caracteristicas de Fotodiodo de silicio S1226-18BU:

- Alta sensibilidad UV desde el rango UV hasta el infrarrojo cercano.

- Paquete TO-18 con ventana de vidrio UV

- Sensibilidad infrarroja cercana suprimida

- Corriente oscura baja

- Alta fiabilidad frente a radiación ultravioleta de alta potencia.

Aplicaciones de Fotodiodos HAMAMATSU Si:

- Monitor de lámpara de mercurio (λ = 254nm)

- Monitor láser excimer (KrF: λ = 248nm)

- Otra detección de UV

Especificaciones de Fotodiodo sensible a los rayos UV S1226-18BU:

P área calienteosensible	1,1 * 1,1 milímetro	N número de elementos	1
P paquete	M etal	P Categoría de paquete	TO-18
C ooling	N enfriado	R Voltaje constante (máx.)	5V
S rango de respuesta pectral	190 hasta 1000 nm	Tiempo de subida (típ.)	0,15μs
P hoto-Sensibilidad (típ.)	0,36 A / W	D Corriente de arca (máx.)	2 pA
P Longitud de onda de sensibilidad máxima (típ.)	720 nm	N oise Potencia equivalente (típ.)	1,6 * 10-15 W / Hz 1/2
T Capacitancia terminal (típ.)	35 pF	M condición easurement	T a = 25 ℃, típ., fotosensibilidad:λ = 720nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacitancia terminal: VR = 0 V, f = 10 kHz, a menos que se indique lo contrario

HAMAMATSU S1226-18BU Si Photodiodes

HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Light Diode

HAMAMATSU S1226-18BU UV Sensitive Photodiode

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