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  • Máquina expansora de oblea de 8 pulgadas
    Máquina de expansión expansora de oblea semiconductora LED semiautomática de 8 pulgadas

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Diodo fotoeléctrico de silicio HAMAMATSU S1226-18BU TO-18

Diodo fotoeléctrico de silicio HAMAMATSU S1226-18BU TO-18

Diodo de luz de silicio HAMAMATSU S1226-18BU son fotodiodos de Si encapsulados en un paquete TO-18 con una ventana de vidrio UV.

  • N º de Modelo. :

    Si Photo-Diode S1226-18BU
  • Marca de fábrica:

    DSXUV
  • puerto de expedición :

    Shenzhen
  • Pago :

    T/T 100% before shipment
  • región original :

    Japan
Detalles del producto

HAMAMATSU S1226-18BU y S1336-18BU son fotodiodos de Si encapsulados en un paquete TO-18 con una ventana de vidrio UV. Estos fotodiodos tienen una alta sensibilidad desde el rango UV hasta el infrarrojo cercano y funcionan de manera confiable cuando detectan radiación UV de alta potencia (como la de las lámparas de mercurio)


HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Photodiode


Caracteristicas de Fotodiodo de silicio S1226-18BU:

- Alta sensibilidad UV desde el rango UV hasta el infrarrojo cercano.

- Paquete TO-18 con ventana de vidrio UV

- Sensibilidad infrarroja cercana suprimida

- Corriente oscura baja

- Alta fiabilidad frente a radiación ultravioleta de alta potencia.


Aplicaciones de Fotodiodos HAMAMATSU Si:

- Monitor de lámpara de mercurio (λ = 254nm)

- Monitor láser excimer (KrF: λ = 248nm)

- Otra detección de UV


Especificaciones de Fotodiodo sensible a los rayos UV S1226-18BU:

P área calienteosensible

1,1 * 1,1 milímetro

N número de elementos

1

P paquete

M etal

P Categoría de paquete

TO-18

C ooling

N enfriado

R Voltaje constante (máx.)

5V

S rango de respuesta pectral

190 hasta 1000 nm

Tiempo de subida (típ.)

0,15μs

P hoto-Sensibilidad (típ.)

0,36 A / W

D Corriente de arca (máx.)

2 pA

P Longitud de onda de sensibilidad máxima (típ.)

720 nm

N oise Potencia equivalente (típ.)

1,6 * 10-15 W / Hz 1/2

T Capacitancia terminal (típ.)

35 pF

M condición easurement

T a = 25 ℃, típ., fotosensibilidad:λ = 720nm, corriente oscura: VR = 10 mV, capacitancia terminal: VR = 0 V, f = 10 kHz, a menos que se indique lo contrario


HAMAMATSU S1226-18BU Si Photodiodes

HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Light Diode

HAMAMATSU S1226-18BU UV Sensitive Photodiode

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